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广州Infineon滤波器授权经销,意法半导体双极型晶体管授权代理


文章来源:shblltx  发布时间:2020-04-01 15:57:21
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产品品牌 Infineon滤波器
发货城市 广州
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广州Infineon滤波器授权经销

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何快速确定三极管的工作状态?有什么方法?有放大、饱和、截止三种工作状态,放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态,对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实践中发现,只要深刻理解三极管三种工作状态的特点,分析电路中三极管处于何种工作状态就会容易得多,下面结合例题来进行分析。一、三种工作状态的特点1.三极管饱和状态下的特点要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时,基极电流很大,对硅管来说,发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V),而UCES=0.3V,可见,UBE>0,UBC>0,也就是说,发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后,C、E间的饱和电阻RCE=UCES/ICS,UCES很小,ICS大,故饱和电阻RCES很小。所以说三极管饱和后G、E间视为短路,饱和状态的NPN型三极管等效电路如图1a所示。如何快速确定三极管的工作状态?有什么方法?

2.三极管截止状态下的特点要使三极管处于截止状态,必须基极电流IB=0,此时集电极IC=ICEO≈0(ICEO为穿透电流,小),根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,集电极与发射极间的电压UCE≈EC。三极管截止时,基极电流IB=0,而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO可见,UBE≤0,UBC<0,也就是说,发射结和集电结均为反偏。三极管截止后,C、E间的截止电阻RCE=UCE/IC,UCES很大,等于电源电压,ICS小,C、E间电阻RCE很大,所以,三极管截止后C、E间视为开路,截止状态的NPN型三极管等效电路如图1b。3.三极管放大状态下的特点要使三极管处于放大状态,基极电流必须为:00,对硅管来说,发射结的压降UBE=0.7V(锗管UBE=-0.3V),三极管在放大状态时,集电极与发射极间的电压UCE>1V以上,UBE>0,UBC<0,也就是说,发射结正偏,集电结反偏。

(7)电容量C是由TVS雪崩结截面决定的,这是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C太大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。对于数据/信号频率越高的回路,二极管的电容对电路的干扰越大,形成噪声或衰减信号强度也大,因此,需要根据回路的特性来决定所选器件的电容范围。高频回路一般选择电容应尽量小(如LCTVS、低电容TVS,电容不大于3pF),而对电容要求不高的回路,电容的容量选择可高于40pF。(8)为了满足IEC61000-4-2标准,TVS二极管必须达到可以处理小8KV(MB,接触)和15kV(BM,空气)的ESD冲击,有的半导体生产厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。而对于某些有特殊要求的便携设备应用,设计者可以按需要挑选器件。ESD应用1.底部连接器的应用底部连接器设计广泛应用在移动消费类产品上,目前市场上应用产品主要为移动电话、PDA、DSC(数码相机)以及MP3等便携产品。由于是直流回路,可选用高电容器件。

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为防止悲剧发生,一种方法是对PFC电路的工作时序加以控制,即当对大电容的充电完成以后,再启动PFC电路;另一种比较简单的办法就是并接在PFC线圈和升压二极管上一个旁路二极管,启动瞬间给大电容的充电提供另一个支路,防止大电流流过PFC线圈造成饱和,避免PFC电路工作瞬间造成开关管过流,保护开关管,同时该保护二极管D2也分流了升压二极管D1上的电流,保护了升压二极管。另外,D2的加入使得对大电容充电过程加快,其上的电压及时建立,也能使PFC电路的电压反馈环路及时工作,减小开机时PFC开关管的导通时间,使PFC电路尽快正常工作。综述综上所述,以上电路中二极管D2的作用是在开机瞬间或负载短路、PFC输出电压低于输入电压的非正常状况下给电容提供充电路径,防止PFC电感磁饱和对PFCMOS管造成的危险,同时也减轻了PFC电感和升压二极管的负担,起到保护作用。该二极管的作用仍然可以说是减少浪涌电压的冲击,但主要是为了减少浪涌电压对开关管造成的威胁,对升压二极管也有分流保护作用,而不是保护滤波电容的。在开机正常工作以后,由于D2右面为B+PFC输出电压,电压比左面高,D2呈反偏截止状态,对电路的工作没有影响,D2可选用可承受较大浪涌电流的普通大电流的整流二极管。在有些电源中,PFC后面的电容容量不大,也有的没有接入保护二极管D2,但如果PFC后面是使用大容量的滤波电容,此二极管是不能减少的,对电路的安全性有着重要的意义。

L形RC滤波电路就是在普通电容滤波电路中电容器前面加个电阻器,电阻器是串联在电路中,而电容器是并联在电路中,这时电阻器和电容器形成了的L字形状,所以称它们为L形RC滤波电路。它的滤波原理和滤波效果都和普通电容滤波电路是差不多,这时电容器和电阻器也构成了分压电路,因为电容的容抗很小,所以对交流分量的分压衰减很大,这样交流量通过电容器短路接地,达到滤波的目的。对于直流电压部分,由于电容器对直流电呈隔离状态,这时电容器对电阻器没有分压作用,直流不会流过电容器。在这种滤波电路中,如果电阻器的阻值不变时,加大滤波电容的容量可以提高滤波效果,滤波电容的容量越大越好。如果滤波电容的容量不变,加大电阻器的阻值也可以提高滤波效果,但是滤波电阻的阻值不能太大,因为滤波电阻的阻值太大的话,直流输出电压就会变小。05、LC滤波与RC滤波比较:1)LC滤波主要是电感的电阻小,直流损耗小。对交流电的感抗大,滤波效果好。缺点是体积大,笨重。成本高。用在要求高的电源电路中。2)RC滤波中的电阻要消耗一部分直流电压,R不能取得很大,用在电流小要求不高的电路中。

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在手持设备的使用过程中,由于与人频繁接触,各个端口必须至少能够承受8kV接触冲击(IEC61000-4-2标准),可见使用TVS可以有效保证产品的合格率。TVS与MLV:多层金属氧化物结构器件(MLV)也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制,此类器件具有非线性电压-电流(阻抗表现)关系,截止电压可达初中止电压的2~3倍,这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的保护,如电源回路。而TVS二极管具有更好的电压截止因子,同时还具有较低的电容,这一点对于手持设备的高频端口非常重要,因为过高的电容会影响数据传输,造成失真或是降级。TVS二极管的各种表面封装均适合流水线装配的要求,而且芯片结构便于集成其它的功能,如EMI和RFI过滤保护等,可有效降低器件成本,优化整体设计。另一个不能忽略的特点是二极管可以很方便地与其它器件集成在一个芯片上,现有很多将EMI过滤和RFI防护等功能与TVS集成在一起的器件,不但减少设计所采用的器件数目降低成本,而且也避免PCB板上布线时易发的伴生自感。

无源滤波器缺点:带负载能力差,无放大作用,特性不理想边沿不陡峭,各级互相影响。无源滤波器缺点:带负载能力差,无放大作用,特性不理想边沿不陡峭,各级互相影响。01、RC滤波特征1)C值的选取:C不能选的太小,否则负载电容对滤波电路的影响很大,一般IC的输入电容往往有1~10pF的输入电容。C值选的太大,则会影响滤波电路的高频特性,因为大电容的高频特性一般都不好。2)R值的选取:R值过小会加大电源的负载,R值过大则会消耗较多的能量。RC滤波电路的大缺陷就是他不仅消耗我们希望抑制的信号能量,而目也消耗我们希望保留的信号能量。另外由于受电容高频特性的限制也不能用在太高频的场合,数MHz以上需要用LC滤波器。带你了解几种常见的无源滤波电路

2)在捆扎设备电缆时,严禁将滤波器的输入输出电缆捆扎在一起。因为这样加剧了滤波器输入输出之间的电磁耦合,严重破坏滤波器对EMI信号的抑制能力。3)不要将滤波器安装在设备屏蔽的内部。因为这样,设备内部电路及元件上的EMI信号会因辐射在滤波器的端引线上生成EMI信号而直接耦合到设备外面去,使设备屏蔽丧失对内部电路和元件产生的EMI辐射的抑制。

意法半导体双极型晶体管授权代理


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