新厂建设顺利量产范文、新工厂建设

财联社12月29日讯（编辑 马兰）台积电周四在中国台湾地区台南科学园区举行其晶圆18厂扩厂典礼，也宣告着其最先进的3纳米芯片正式投入量产。

台积电董事长刘德音表示，晶圆18厂是台积电5纳米和3纳米芯片的重要生产基地，其中，芯片 18 厂 5 期至 9 期厂房是 3 纳米生产基地。

据悉，台积电将采用产能有限的 N3 节点工艺，然后在 2023 年晚些时候转向更稳定、更高效的全面生产的 N3E，随后在 2024 年转向 N3P，这一年台积电还将在新竹工厂将其 2 纳米 GAA 工艺投入试生产，并在 2025 年进行大规模生产。

刘德音还指出，全球对3纳米芯片的需求十分强劲。

除了在中国台湾当地新建更多的芯片厂，台积电最近频频向海外投资，日本、美国、德国都在其扩张列表上。

然而，海外设厂也对台积电提出了更多的考验。

有媒体指出，在欧美设厂，台积电必须考虑成本、人才和供应链方面的问题，而原先的成熟芯片工程师被不断外派到各地监督生产也对其现有的人才储备形成巨大压力。

在台南的晶圆18厂落成之前，台积电宣布将在2024年，在美国的亚利桑那州新工厂生产4纳米芯片，并从2026年开始在美国的第二家工厂生产3纳米芯片。

台积电是苹果的主要供应商，而现在正值全球电子产品需求下降的阶段。台积电困于黯淡的全球经济前景，今年已经将资本支出削减至少10%至360亿美元，而一些分析师则警告，台积电可能会进一步控制支出。

线宽更小的晶体管芯片通常性能更优秀且能耗更低。据台积电称，3纳米工艺相比5纳米工艺制成芯片的功耗降低约35%。而3纳米技术有望在5年内创造出市值达1.5万亿美元的终端产品市场。

作为台积电的竞争对手，三星在6月已经开始大规模生产3纳米半导体，意图在代工芯片制造业务上赶上台积电，争夺功耗更低的高性能芯片的订单。

在此前的财报分析师电话会议上，台积电首席执行官魏哲家表示，该公司正在按计划推进3纳米制程工艺，并预计在下半年开始量产。在高性能计算和智能手机应用的需求推动下，预计3纳米芯片产量将在2023年平稳提升。

但当时台积电也透露，由于3纳米制程工艺的量产时间接近年底，产品预计在明年才会交付给相关厂商，并在2023年上半年开始带来营收。